现行有效
国家标准
电子元器件与信息技术
GB/T 46789-2025
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验
Semiconductor devices—Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
正式发布日期
2025-12-02
正式实施日期
2026-07-01
中国标准分类号 (CCS)
L40
国际标准分类号 (ICS)
31.080.0131
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
工业和信息化部（电子）
归口技术委员会
全国半导体器件标准化技术委员会
主要起草单位
中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、合肥华祯智能科技有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司、厦门芯阳科技股份有限公司、河北新华北集成电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、上海维安半导体有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、重庆平伟实业股份有限公司、无锡新洁能股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、河北赛美科技有限公司。
主要起草人员
赵海龙、彭浩、张魁、张中、席善斌、黄志强、黄杰、刘东月、冉红雷、尹丽晶、颜天宝、裴选、柳华光、曲韩宾、任怀龙、高博、章晓文、苏海伟、陈磊、李述洲、朱袁正、杨国江、李永安、康金萌。
国际标准采标情况
IEC 62417:2010 (IDT (等同采用))
最后同步校验时间
2026-09-30
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
GB/T 46789-2025
现行
● 现行有效版本 (当前页面)
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验
正式发布：2025-12-02
实施施行：2026-07-01
🎯 同类及相似标准智能推荐矩阵
基于中国标准分类号(CCS)、国际标准分类号(ICS)及归口技术领域的深度关联推荐
GB/T 4937.40-2025
现行
半导体器件 机械和气候试验方法 第40部分：采用应变仪的板级跌落试验方法
复合特征契合 [半导体器]领域主题契合 [半导]
匹配度 125%
GB/T 4937.37-2025
现行
半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法
复合特征契合 [半导体器]领域主题契合 [半导]
匹配度 125%
GB/T 4937.39-2025
现行
半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：半导体器件用有机材料的潮气扩散率和水溶解度测量
复合特征契合 [半导体器]领域主题契合 [半导]
匹配度 125%
GB/T 4937.8-2025
现行
半导体器件 机械和气候试验方法 第8部分：密封
复合特征契合 [半导体器]领域主题契合 [半导]
匹配度 125%
GB/T 48168-2026
即将实施
半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法
复合特征契合 [半导体器]领域主题契合 [半导]
匹配度 120%
GB/T 48164.2-2026
即将实施
半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法
复合特征契合 [半导体器]领域主题契合 [半导]
匹配度 120%