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即将正式实施提醒
该标准将于 2027-03-01 起正式施行，距离生效尚有 152 天。建议相关企业及实验室尽早开展标准宣贯与合规调整。
即将实施
国家标准
电子元器件与信息技术
GB/T 48168-2026
半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法
Semiconductor devices—Reliability test method by inductive load switching stress for gallium nitride(GaN) transistors
正式发布日期
2026-08-28
正式实施日期
2027-03-01
中国标准分类号 (CCS)
L40
国际标准分类号 (ICS)
31.080.0131
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
工业和信息化部（电子）
归口技术委员会
全国半导体器件标准化技术委员会
主要起草单位
工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学、大连理工大学、广东工业大学、南京大学、深圳平湖实验室、广东致能半导体有限公司、东南大学、西安电子科技大学、深圳飞骧科技股份有限公司、成都信息工程大学、北京大学、中山大学、国家市场监督管理总局认证认可技术研究中心、河北北芯半导体科技有限公司、珠海镓未来科技有限公司、北京小米移动软件有限公司、重庆大学、重庆邮电大学、中国科学院微电子研究所、西交利物浦大学、湖南大学、贵州芯际探索科技有限公司、北京大学东莞光电研究院。
主要起草人员
施宜军、何亮、路国光、刘昌、陈万军、黄火林、贺致远、陈兴欢、陈媛、孙瑞泽、付志伟、刘陆川、周峰、周春华、黎子兰、刘斯扬、李祥东、汪猛、罗小蓉、魏进、来萍、陈义强、王小明、刘扬、岳岩、席善斌、张大江、王晔、张丽丽、胡盛东、陈伟中、黄森、刘雯、陶明、邓高强、王成财、郝乐、刘曦、张进成、刘强。
国际标准采标情况
IEC 63284:2022 (IDT (等同采用))
最后同步校验时间
2026-09-30
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
GB/T 48168-2026
即将实施
● 现行有效版本 (当前页面)
半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法
正式发布：2026-08-28
实施施行：2027-03-01
🎯 同类及相似标准智能推荐矩阵
基于中国标准分类号(CCS)、国际标准分类号(ICS)及归口技术领域的深度关联推荐
GB/T 4937.41-2026
现行
半导体器件 机械和气候试验方法 第41部分：非易失性存储器可靠性试验方法
同核心产品/对象 [靠性]复合特征契合 [半导体器]
匹配度 165%
GB/T 48164.2-2026
即将实施
半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法
同核心产品/对象 [靠性]复合特征契合 [半导体器]
匹配度 160%
GB/T 48164.1-2026
即将实施
半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法
同核心产品/对象 [靠性]复合特征契合 [半导体器]
匹配度 160%
SJ/T 12070-2025
现行
半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法
同核心产品/对象 [靠性]复合特征契合 [管可靠性]
匹配度 125%
SJ/T 12068-2025
现行
半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法
同核心产品/对象 [靠性]复合特征契合 [管可靠性]
匹配度 125%
IEC 63275-1:2022
现行
半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
同核心产品/对象 [靠性]复合特征契合 [管可靠性]
匹配度 125%