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即将正式实施提醒
该标准将于 2027-03-01 起正式施行，距离生效尚有 152 天。建议相关企业及实验室尽早开展标准宣贯与合规调整。
即将实施
国家标准
电子元器件与信息技术
GB/T 48164.2-2026
半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法
Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
正式发布日期
2026-08-28
正式实施日期
2027-03-01
中国标准分类号 (CCS)
L40
国际标准分类号 (ICS)
31.080.0131
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
工业和信息化部（电子）
归口技术委员会
全国半导体器件标准化技术委员会
主要起草单位
工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学、深圳平湖实验室、合肥工业大学、湖南大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、北京智慧能源研究院、清纯半导体（宁波）有限公司、山东大学、株洲中车时代半导体股份有限公司、河北博威集成电路有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、广东天域半导体股份有限公司、江苏环鑫半导体有限公司、西安卫光科技有限公司、上海航天技术基础研究所、国家市场监督管理总局认证认可技术研究中心、乐山希尔电子股份有限公司、上海贝岭股份有限公司、杭州高坤电子科技股份有限公司。
主要起草人员
陈媛、路国光、陈兴欢、来萍、韦覃如、何亮、侯波、刘陆川、邵伟恒、陈万军、施宜军、万玉喜、邓二平、陈义强、王俊、张国斌、金锐、修德琦、崔潆心、陈中圆、梁世维、李瑞莲、孙博韬、罗海辉、姚尧、卢啸、郭跃伟、高伟、黄土地、丁雄杰、敖松泉、陈澄、智晶、李飞、马林东、吴海文、王若冰、邓华鲜、张丙可、吴一帆、胡久恒。
国际标准采标情况
IEC 63275-2:2022 (IDT (等同采用))
最后同步校验时间
2026-09-30
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
GB/T 48164.2-2026
即将实施
● 现行有效版本 (当前页面)
半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法
正式发布：2026-08-28
实施施行：2027-03-01
🎯 同类及相似标准智能推荐矩阵
基于中国标准分类号(CCS)、国际标准分类号(ICS)及归口技术领域的深度关联推荐
GB/T 48164.1-2026
即将实施
半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法
复合特征契合 [半导体器]领域主题契合 [半导]
匹配度 160%
IEC 63275-2:2022
现行
半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
同核心产品/对象 [化的]复合特征契合 [极退化的]
匹配度 125%
GB/T 4937.40-2025
现行
半导体器件 机械和气候试验方法 第40部分：采用应变仪的板级跌落试验方法
复合特征契合 [半导体器]领域主题契合 [半导]
匹配度 125%
GB/T 4937.37-2025
现行
半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法
复合特征契合 [半导体器]领域主题契合 [半导]
匹配度 125%
GB/T 4937.39-2025
现行
半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：半导体器件用有机材料的潮气扩散率和水溶解度测量
复合特征契合 [半导体器]领域主题契合 [半导]
匹配度 125%
GB/T 4937.8-2025
现行
半导体器件 机械和气候试验方法 第8部分：密封
复合特征契合 [半导体器]领域主题契合 [半导]
匹配度 125%