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即将正式实施提醒
该标准将于 2027-03-01 起正式施行，距离生效尚有 150 天。建议相关企业及实验室尽早开展标准宣贯与合规调整。
即将实施
国家标准
电子元器件与信息技术
GB/T 48164.1-2026
半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法
Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 1: Test method for bias temperature instability
正式发布日期
2026-08-28
正式实施日期
2027-03-01
中国标准分类号 (CCS)
L40
国际标准分类号 (ICS)
31.080.0131
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
工业和信息化部（电子）
归口技术委员会
全国半导体器件标准化技术委员会
主要起草单位
工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代半导体股份有限公司、东南大学、北京国联万众半导体科技有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、龙腾半导体股份有限公司、浙江大学、河北博威集成电路有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、电子科技大学、广东天域半导体股份有限公司、TCL环鑫半导体（天津）有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院、南京南瑞半导体有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、江苏应能微电子股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、上海贝岭股份有限公司。
主要起草人员
陈媛、陈兴欢、陈义强、何亮、施宜军、来萍、彭超、张国斌、罗海辉、路国光、赵鹏、孙伟峰、魏家行、谭永亮、吴帆正树、夏焕春、曹琳、陈敏、姚尧、苏日丽、张园览、何健锋、王舶男、张家祺、闫志峰、席善斌、王珩宇、郭清、刘宇、黄洪钟、丁雄杰、杨玉聪、张新玲、高伟、王振、罗望春、骆健、朱郑允、李伟聪、马利奇、孙明光、刘伟伟、杨国江、吴孝严。
国际标准采标情况
IEC 63275-1:2022 (IDT (等同采用))
最后同步校验时间
2026-10-01
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
GB/T 48164.1-2026
即将实施
● 现行有效版本 (当前页面)
半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法
正式发布：2026-08-28
实施施行：2027-03-01
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