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即将正式实施提醒
该标准将于 2027-03-01 起正式施行，距离生效尚有 152 天。建议相关企业及实验室尽早开展标准宣贯与合规调整。
即将实施
国家标准
电子元器件与信息技术
GB/T 48170-2026
用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南
Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) based power conversion devices
正式发布日期
2026-08-28
正式实施日期
2027-03-01
中国标准分类号 (CCS)
L40
国际标准分类号 (ICS)
31.080.0131
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
工业和信息化部（电子）
归口技术委员会
全国半导体器件标准化技术委员会
主要起草单位
工业和信息化部电子第五研究所、广东工业大学、浙江大学杭州国际科创中心、中山大学、电子科技大学、北京大学、大连理工大学、南京大学、西安电子科技大学广州研究院、深圳飞骧科技股份有限公司、三微电子科技（苏州）有限公司、南方电网科学研究院有限责任公司、河北新华北集成电路有限公司、浙江大学、武汉大学、北京大学东莞光电研究院、无锡华润微电子有限公司、英诺赛科（苏州）半导体有限公司、北京小米移动软件有限公司。
主要起草人员
何亮、施宜军、陈兴欢、蔡宗棋、贺致远、陈媛、路国光、陈义强、吴新科、刘扬、罗小蓉、来萍、王宏跃、韦覃如、魏进、黄火林、周峰、游淑珍、邓高强、陈立强、刘荣军、王达名、李潮、倪毅强、李峣、杜鹏搏、王成财、官权学、刘志宏、袁嵩、赵问鼎、张召富、刘强、张晓荣、王剑屏、杨强、崔朝探、刘小明、谌兴武。
国际标准采标情况
IEC 63373:2022 (IDT (等同采用))
最后同步校验时间
2026-09-29
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
GB/T 48170-2026
即将实施
● 现行有效版本 (当前页面)
用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南
正式发布：2026-08-28
实施施行：2027-03-01
🎯 同类及相似标准智能推荐矩阵
基于中国标准分类号(CCS)、国际标准分类号(ICS)及归口技术领域的深度关联推荐
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同归口技术委员会 (全国半导体器件标准化技术委员会)同行业专业标准 (GB/T)
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同归口技术委员会 (全国半导体器件标准化技术委员会)同行业专业标准 (GB/T)
匹配度 70%
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同归口技术委员会 (全国半导体器件标准化技术委员会)同行业专业标准 (GB/T)
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现行
半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法
同归口技术委员会 (全国半导体器件标准化技术委员会)同行业专业标准 (GB/T)
匹配度 70%
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半导体器件 第14-5部分：半导体传感器 PN结半导体温度传感器
同归口技术委员会 (全国半导体器件标准化技术委员会)同行业专业标准 (GB/T)
匹配度 70%