现行有效
国家标准
冶金与金属材料
GB/T 32278-2025
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers
正式发布日期
2025-08-01
正式实施日期
2026-02-01
中国标准分类号 (CCS)
H 21
国际标准分类号 (ICS)
77.04077
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
国家标准委
归口技术委员会
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主要起草单位
北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、连科半导体有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司、派恩杰半导体（浙江）有限公司。
主要起草人员
佘宗静、彭同华、何烜坤、王大军、王波、杨建、贺东江、吴殿瑞、刘小平、刘薇、黄宇程、胡动力、汪传勇、赵文琪、黄兴。
国际标准采标情况
自主编制，未等同采用国际标准
最后同步校验时间
2026-09-30
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
GB/T 32278-2025
现行
● 现行有效版本 (当前页面)
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
正式发布：2025-08-01
实施施行：2026-02-01
🎯 同类及相似标准智能推荐矩阵
基于中国标准分类号(CCS)、国际标准分类号(ICS)及归口技术领域的深度关联推荐
GB/T 32278-2015
现行
碳化硅单晶片平整度测试方法
同核心产品/对象 [整度]复合特征契合 [碳化硅单]
匹配度 110%
GB/T 30868-2025
现行
碳化硅单晶片微管密度测试方法
复合特征契合 [碳化硅单]领域主题契合 [碳化]
匹配度 110%
GB/T 43894.3-2026
即将实施
半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）
同核心产品/对象 [整度]同归口技术委员会 (全国半导体设备和材料标准化技术委员会)
匹配度 105%
GB/T 47082-2026
现行
碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法
复合特征契合 [碳化硅单]领域主题契合 [碳化]
匹配度 95%
GB/T 47404-2026
现行有效
碳化硅单晶
复合特征契合 [碳化硅单]领域主题契合 [碳化]
匹配度 90%
GB/T 13771-2009
现行
纺织品 评定织物经洗涤后接缝外观平整度的试验方法
同核心产品/对象 [整度]同行业专业标准 (GB/T)
匹配度 85%