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即将正式实施提醒
该标准将于 2026-11-01 起正式施行，距离生效尚有 30 天。建议相关企业及实验室尽早开展标准宣贯与合规调整。
即将实施
国家标准
电子元器件与信息技术
GB/T 45716.1-2026
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验
Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
正式发布日期
2026-04-30
正式实施日期
2026-11-01
中国标准分类号 (CCS)
L40
国际标准分类号 (ICS)
31.080.3031
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
工业和信息化部（电子）
归口技术委员会
全国半导体器件标准化技术委员会
主要起草单位
工业和信息化部电子第五研究所、北京智芯微电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、河北北芯半导体科技有限公司、中国工程物理研究院流体物理研究所、龙腾半导体股份有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、石家庄天林石无二电子有限公司、滁州华瑞微电子科技有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、深圳市芯电元科技有限公司、重庆大学、长春理工大学、粤芯半导体技术股份有限公司、杭州高裕电子科技股份有限公司、南京宽能半导体有限公司、深圳市鲁光电子科技有限公司、无锡新洁能股份有限公司。
主要起草人员
恩云飞、高汭、肖庆中、李潮、黄鹏、章晓文、林晓玲、何玉娟、杨晓锋、来萍、魏志鹏、韦覃如、韦拢、孙哲、牛皓、鹿祥宾、虞勇坚、贾沛、杨振宝、王凌云、王嘉蓉、周晓阳、杨彦峰、赵玉玲、刘海波、刘健、杨国江、刘月、吴永君、孙守强、吴志刚、谢慧青、朱礼贵、朱袁正。
国际标准采标情况
IEC 62373-1:2020 (IDT (等同采用))
最后同步校验时间
2026-10-01
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
GB/T 45716.1-2026
即将实施
● 现行有效版本 (当前页面)
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验
正式发布：2026-04-30
实施施行：2026-11-01
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