现行有效
国家标准
冶金与金属材料
GB/T 11073-2025
硅片径向电阻率变化测量方法
Test method for measuring radial resistivity variation on silicon wafers
正式发布日期
2025-10-31
正式实施日期
2026-05-01
中国标准分类号 (CCS)
H17
国际标准分类号 (ICS)
77.04077
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
国家标准委
归口技术委员会
全国半导体设备和材料标准化技术委员会、全国有色金属标准化技术委员会
主要起草单位
麦斯克电子材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、中环领先半导体科技股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、广东先导微电子科技有限公司。
主要起草人员
方丽霞、郭可、马武祥、邢胜昌、张志林、寇文杰、王江华、朱晓彤、邓春星、黄笑容、潘金平、李慎重、冯天、尚海波、马金峰。
国际标准采标情况
自主编制，未等同采用国际标准
最后同步校验时间
2026-10-01
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
GB/T 11073-2025
现行
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硅片径向电阻率变化测量方法
正式发布：2025-10-31
实施施行：2026-05-01
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