现行有效
国家标准
冶金与金属材料
GB/T 43894.2-2026
半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）
Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 2: Roll-off amount（ROA）
正式发布日期
2026-01-28
正式实施日期
2026-08-01
中国标准分类号 (CCS)
H21
国际标准分类号 (ICS)
77.04077
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
国家标准委
归口技术委员会
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主要起草单位
山东有研半导体材料有限公司、西安奕斯伟材料科技股份有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、金瑞泓微电子（衢州）有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司。
主要起草人员
宁永铎、朱晓彤、于亚迪、王玥、张婉婉、张雪囡、刘云霞、徐国科、吕莹、徐新华、丁雄杰、马砚忠、陆占清。
国际标准采标情况
自主编制，未等同采用国际标准
最后同步校验时间
2026-09-30
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
GB/T 43894.2-2026
现行
● 现行有效版本 (当前页面)
半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）
正式发布：2026-01-28
实施施行：2026-08-01
🎯 同类及相似标准智能推荐矩阵
基于中国标准分类号(CCS)、国际标准分类号(ICS)及归口技术领域的深度关联推荐
GB/T 43894.3-2026
即将实施
半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）
复合特征契合 [半导体晶]领域主题契合 [半导]
匹配度 145%
GB/T 14140-2025
现行
半导体晶片直径测试方法
复合特征契合 [半导体晶]领域主题契合 [半导]
匹配度 95%
GB/T 45763-2025
现行
精细陶瓷 陶瓷薄板室温弯曲强度试验方法 三点弯曲或四点弯曲法
同核心产品/对象 [曲法]同行业专业标准 (GB/T)
匹配度 85%
GB/T 38978-2020
现行
耐火材料 应力应变试验方法(三点弯曲法)
同核心产品/对象 [曲法]同行业专业标准 (GB/T)
匹配度 85%
GB/T 38686-2020
现行
超薄玻璃柔韧性试验方法 两点弯曲法
同核心产品/对象 [曲法]同行业专业标准 (GB/T)
匹配度 85%
GB/T 34171-2017
现行
薄与超薄玻璃弯曲性能试验方法 三点弯曲法
同核心产品/对象 [曲法]同行业专业标准 (GB/T)
匹配度 85%