现行有效
国家标准
冶金与金属材料
GB/T 14847-2025
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method
正式发布日期
2025-10-31
正式实施日期
2026-05-01
中国标准分类号 (CCS)
H21
国际标准分类号 (ICS)
77.04077
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
国家标准委
归口技术委员会
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主要起草单位
浙江金瑞泓科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、西安龙威半导体有限公司、浙江大学、麦斯克电子材料股份有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、珀金埃尔默企业管理（上海）有限公司、赛默飞世尔科技（中国）有限公司、上海优睿谱半导体设备有限公司、青海沅平新能源科技有限公司。
主要起草人员
李慎重、张海英、李素青、许峰、梁兴勃、蒋玉龙、葛华、李明达、张宏浩、马林宝、马向阳、刘丽娟、贺东江、赵跃、方伟宇、李云鹏、庄育军、韩云霄、雷浩东、袁文战。
国际标准采标情况
自主编制，未等同采用国际标准
最后同步校验时间
2026-10-01
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
GB/T 14847-2025
现行
● 现行有效版本 (当前页面)
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
正式发布：2025-10-31
实施施行：2026-05-01
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