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【IEC 63275-2:2022】半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
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现行有效 国际标准 国际组织

IEC 63275-2:2022

半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
🔬 标准体检与查新报告
正式发布日期
2022-05-11
正式实施日期
官方未列示
中国标准分类号 (CCS)
暂未分类
国际标准分类号 (ICS)
31.080.30

📑 标准核心属性与编制信息

主管部门 / 发布部门 国际电工委员会
归口技术委员会 由主管部门直管或未单设
主要起草单位 以正式出版纸质文本为准
主要起草人员 以正式出版纸质文本为准
国际标准采标情况 自主编制,未等同采用国际标准
最后同步校验时间 2026-09-30

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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴

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共 1 个代际版本
IEC 63275-2:2022 现行
● 现行有效版本 (当前页面)
半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
正式发布:2022-05-11 实施施行:未列明

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