T/CASAS 064—2026
应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法
Testing method for parasitic inductance of silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET) and power loop in dynamic characterization
正式发布日期
2026-06-30
正式实施日期
2026-06-30
中国标准分类号 (CCS)
暂未分类
国际标准分类号 (ICS)
暂未分类
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
归口技术委员会
由主管部门直管或未单设
主要起草单位
忱芯科技(上海)有限公司工业和*******五研究所该起草单位未通过全国组织机构统一社会信用代码查询平台校验。根据团体填报信息，该单位为“其他”广电计量检测集团股份有限公司安徽长飞先进半导体股份有限公司深圳平湖实验室浙江大学绍兴研究院国网上海市电力公司电力科学研究院博测锐创半导体科技(苏州)有限公司是德科技(中国)有限公司西安交通大学杭州沃镭智能科技股份有限公司北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
主要起草人员
毛赛君严雪松陈 媛李汝冠陆月明肖 磊徐新兵林 氦陈 哲周行星任志军孙承志张彤宇王来利郭 斌闫 晗高 伟
国际标准采标情况
自主编制，未等同采用国际标准
最后同步校验时间
2026-10-10
标准范围与核心技术摘要
本文件描述了双脉冲测试条件下对应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。 本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。
🕸️ 知识图谱与标准拓扑关系网
深度涵盖：代际演变替代、同系列分部关联、归口技术委员会同门研制及国际对标
12 节点
11 连线
⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
T/CASAS 064—2026
现行
● 现行有效版本 (当前页面)
应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法
正式发布：2026-06-30
实施施行：2026-06-30
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