现行有效
国家标准
综合与基础
半导体器件可靠性评价系列标准解读
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)
正式发布日期
官方未列示
正式实施日期
2025-05-30
中国标准分类号 (CCS)
方法
国际标准分类号 (ICS)
L40
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
全国半导体器件标准化技术委员会
归口技术委员会
31.080.0131 电子学31.080 半导体分立器件31.080.01 半导体分立器件综合
主要起草单位
工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所。
主要起草人员
恩云飞、高汭、章晓文、来萍、柴智、林晓玲、陈义强、周圣泽、高金环、任鹏鹏、都安彦、李伟聪、陈磊、冉红雷。
国际标准采标情况
IEC 62373:2006 (IDT (等同采用))
最后同步校验时间
2026-10-01
🕸️ 知识图谱与标准拓扑关系网
深度涵盖：代际演变替代、同系列分部关联、归口技术委员会同门研制及国际对标
8 节点
8 连线
🔒
知识图谱与拓扑关系需登录查看
深度涵盖代际演变替代、同系列分部关联、归口主管研制及国际对标。登录账号即可免费解锁完整力导向交互网络与节点穿梭。
8 实体节点
8 关联拓扑
免费注册 / 微信扫码一键登录
⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
半导体器件可靠性评价系列标准解读
现行
● 现行有效版本 (当前页面)
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
正式发布：未列明
实施施行：2025-05-30
🎯 同类及相似标准智能推荐矩阵
基于中国标准分类号(CCS)、国际标准分类号(ICS)及归口技术领域的深度关联推荐
GB/T 32865-2025《致密砂岩气产品质量要求和试验方法》解读
现行
致密砂岩气产品质量要求和试验方法
同行业同领域: 综合与基础
匹配度 80%
GB/Z 279-2026
现行
仿生学 应用TRIZ理论整合的问题导向和功能导向方法
同行业同领域: 综合与基础
匹配度 80%
GB/T 14600-2025《 电子气体 一氧化二氮》标准解读
现行
电子气体 一氧化二氮
同行业同领域: 综合与基础
匹配度 80%
GB/T 17821—2025《胶乳 5℃至40℃密度的测定》国家标准解读
现行
胶乳 5℃至40℃密度的测定
同行业同领域: 综合与基础
匹配度 80%
GB/T 18396-2025《胶乳 表面张力的测定》国家标准解读
现行
胶乳 表面张力的测定
同行业同领域: 综合与基础
匹配度 80%
GBT 18487.4—2025《电动汽车传导充放电系统 第4部分：车辆对外放电要求》标准解读
现行
电动汽车传导充放电系统 第4部分：车辆对外放电要求
同行业同领域: 综合与基础
匹配度 80%