现行有效
国际标准
国际组织
IEC 63275-1:2022
半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability
正式发布日期
2022-04-21
正式实施日期
官方未列示
中国标准分类号 (CCS)
暂未分类
国际标准分类号 (ICS)
31.080.30
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
国际电工委员会
归口技术委员会
由主管部门直管或未单设
主要起草单位
以正式出版纸质文本为准
主要起草人员
以正式出版纸质文本为准
国际标准采标情况
自主编制，未等同采用国际标准
最后同步校验时间
2026-09-30
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
IEC 63275-1:2022
现行
● 现行有效版本 (当前页面)
半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
正式发布：2022-04-21
实施施行：未列明
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