现行有效
国家标准
冶金与金属材料
GB/T 30856-2025
LED外延芯片用砷化镓衬底
GaAs substrates for LED epitaxial chips
正式发布日期
2025-08-01
正式实施日期
2026-02-01
中国标准分类号 (CCS)
H 83
国际标准分类号 (ICS)
29.04529
📑 标准核心属性与编制信息
主管部门 / 发布部门
国家标准委
归口技术委员会
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主要起草单位
南京集溢半导体科技有限公司、中山德华芯片技术有限公司、广东先导微电子科技有限公司、全磊光电股份有限公司、山东浪潮华光光电子股份有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、北京大学东莞光电研究院、中国科学院半导体研究所、大庆溢泰半导体材料有限公司、易事达光电（广东）股份有限公司、深圳市冠科科技有限公司、广东中阳光电科技有限公司。
主要起草人员
赵中阳、郑红军、冯佳峰、于会永、刘建庆、孙雪峰、张双翔、闫宝华、林作亮、刘强、马金峰、赵有文、赵春锋、彭璐、徐宝洲、兰庆、陈皇。
国际标准采标情况
自主编制，未等同采用国际标准
最后同步校验时间
2026-10-01
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⏳ 标准代际更迭与生命周期时间轴
自立项制定发布以来的历次版本替代演进历史链条
GB/T 30856-2025
现行
● 现行有效版本 (当前页面)
LED外延芯片用砷化镓衬底
正式发布：2025-08-01
实施施行：2026-02-01
🎯 同类及相似标准智能推荐矩阵
基于中国标准分类号(CCS)、国际标准分类号(ICS)及归口技术领域的深度关联推荐
GB/Z 123.2-2025
现行
纳米制造 材料规范 发光纳米材料 第2部分：常规照明和显示用详细规范
相同专业CCS分类分类号: H 83
匹配度 88%
SJ/T 11865-2022
现行
功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底
相同专业CCS分类分类号: H 83
匹配度 88%
SJ/T 11864-2022
现行
半绝缘型碳化硅单晶衬底
相同专业CCS分类分类号: H 83
匹配度 88%
GB/T 48345-2026
即将实施
用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片
同标委会归口管理全国半导体设备和材料标准化技术委员会
匹配度 85%
SJ/T 10478-2026
即将实施
半导体设备 集成电路制造用磁控溅射设备
同标委会归口管理全国半导体设备和材料标准化技术委员会
匹配度 85%
SJ/T 10311-2026
即将实施
半导体设备 集成电路制造用低压化学气相淀积设备
同标委会归口管理全国半导体设备和材料标准化技术委员会
匹配度 85%